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标签 > GaN FET
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analog devices方案:在LTspice仿真中使用GaN FET模型
近年来,工业电源市场对氮化镓(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高带隙器件的兴趣日益浓厚。GaN器件凭借显著降低的电荷特性,能够在较高开关频率...
PMP21842 采用 HV GaN FET 的 12V/500W谐振转换器参考设计
此高频谐振转换器参考设计使用谐振频率为 500kHz 的谐振电路,在 380V 至 400V 输入电压范围内调节 12V 输出。使用我们的高压 GaN ...
具有集成驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计
德州仪器(TI)推出了一种新的集成氮化镓(GaN)功率级产品家族,该家族采用了一种低成本紧凑的四方扁平无引线(OFN)封装,封装尺寸为12毫米x12毫米...
技术资料#LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器、保护和温度报告的汽车类650V 30mΩ GaN FET
LMG3522R030-Q1 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开...
技术文档#LMG3426R030 600V 30mΩ GaN FET,带集成驱动器、保护和零电压检测
LMG342xR030 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 S...
正如我们在2020年Electronica电力电子论坛上的演讲中所说的那样,电力行业的历史令人着迷,并且充满了令人惊叹的天才级工程师,他们正在使电源解决...
利用TI的600V GaN FET功率级实现高性能功率转换革命
达拉斯, 2016年4月25日/PRNewswire/- 基于数十年的电源管理创新,德州仪器(TI)(纳斯达克股票代码:TXN)今天宣布推出600 -V...
“芯”品发布|镓未来推出“9mΩ”车规级 GaN FET,打破功率氮化镓能效天花板!
在追求高效能、高可靠性功率半导体技术的道路上迈出关键一步,打破车规级功率半导体性能边界 近日,镓未来正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9m...
安世推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET GAN FET
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的 E-mo...
Nexperia为多个汽车应用领域贡献力量,约270款Nexperia产品运用在不同的汽车应用中。
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